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Rohm Semiconductor IMB2AT110
| Artikelnummer: | IMB2AT110 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 3000+ | $0.1277 |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
- Verpackung
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Rohm Semiconductor IMB2AT110 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IMB2AT110.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SMT6 Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Widerstand - Basis (R1) 47kOhms Leistung - max 300mW Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang 250MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Grundproduktnummer IMB2 IMB2AT110 Einzelheiten PDF [English] IMB2AT110 PDF - EN.pdf -
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